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由于可对隐形切割※(以下简称为SD)后的晶圆进行高成品率,高生产效率的分割,因此只要一台机器便可对应扩片(Expand)和裂片(Breaking) 。
※将激光聚焦在加工物内部产生变质层,再利用胶膜扩片等方法进行晶圆分割的切割方法。可有效减少IC标签和线传感器等小芯片/长芯片等产品元件的切割道。
通过采用不受芯片尺寸约束,以一定的速度进行晶圆分割的扫描裂片,相比与每条线都需停止才能进行分割的三点弯曲裂片,可缩短分割时间。
晶圆 | Φ8 inch x 0.1 mm thick |
Si芯片尺寸 | 0.5 × 0.5 mm |
注1:数值为本公司的实测值
注2:加工时间为个例,在不同条件下结果有所不同
Specification | Unit | |
---|---|---|
Max. workpiece size | - | Φ8 inch |
Dice size | mm | 0.1~0.5 (narrow side) Max. 20 mm (long side) *long die only |
Wafer mounting accuracy X/Y direction (frame mount) | mm | ±2.5 |
Wafer mounting accuracy θ direction (frame mount) | ° | ±3° |
Machine dimensions (W×D×H) | mm | 718 × 897 × 1,608 (including status indicator) |
Machine weight | kg | Approx.450 |
※为了改善,机器的外观,特征,规格等本公司可能在未预先通知用户的情况下实施变更。
※使用时,请先确认标准规格书。
Machine type |
Machine dimentions(W × D × H) |
Machine weight(kg) |
DDS2300 | DDS2310 |
全自动 | 全自动 |
1,200 × 1,550 × 1,800 | 1,200 × 1,800 × 1,955 |
900 | 1,000 |