UltraPoligrind-研削磨轮-DISCO Corporation手机版

详细介绍

加工对象: Silicon wafer, etc

UltraPoligrind采用超细微钻石磨粒，相比 Poligrind 可实现更低的研削损伤和更高的抗弯强度。此外， UltraPoligrind 在消除晶圆应力工艺的同时，仍可维持外质吸杂效果。由于是不使用化学物质的一般研削加工，既可减轻环境负荷，又能以简便的操作实现薄片研削。

UltraPoligrind研削的晶圆损伤层比Poligrind研削的损伤层有大幅度地减少。

于研磨后的镜面晶圆经强制污染后从反面析出的Cu浓度高于1.0E11的结果相比，用UltraPoligrind 研削后的晶圆从反面析出的Cu浓度却低于检出下限值，由此可知 UltraPoligrind 具有更好的外质吸杂效果。

为了定量测定外质吸杂效果，将经过Cu强制污染的样本以350 ℃加热3小时后，使用TXRF（全反射式X光荧光光谱仪）进行分析。以 UltraPoligrind 的研磨晶圆为例，研磨面经过Cu强制污染并扩散后，使用TXRF分析反面（镜面）析出的Cu量。

※ 0.5E10 atoms/cm²以下为检出极限。

UltraPoligrind 的使用注意事项

为了获得更好的加工品质，需要重新设定加工条件。为此本公司的应用技术工程师将会根据具体的加工物和加工要求，竭诚为客户提供加工方案。