Gettering DP-干式抛光磨轮-DISCO Corporation手机版

详细介绍

加工对象: Silicon wafer, etc

随着晶圆的超薄化发展，存在着降低外质吸杂效果的威胁。Gettering DP采用迪思科的干式抛光工艺，通过去除内部应力，即提高了芯片抗弯强度又维持了外质吸杂功能。由于干式抛光工艺不使用化学药品，在减轻环境负荷的同时，与使用研磨液以及化学药品的抛光工艺相比，能够以更简便的操作完成薄片晶圆的研磨。

根据用途，可提供2种类型的GetteringDP 。与标准的GA类型相比，因为MZ类型的DP磨轮更能提高晶圆的抗弯强度，所以能够实现更薄的晶圆抛光加工。但是，MZ类型需要根据加工物的不同，详细选定加工条件，具体本公司的销售人员。

GA*** type	标准型GetteringDP
MZ*** type	与GA类型相比，提高了抗弯强度，能够实现更薄的晶圆抛光加工

* Finish thickness:　25 µm Process:　DBG （Dicing Before Grinding）

于研磨后的镜面晶圆经强制污染后从反面析出的Cu浓度高于1.0E11的结果相比， Gettering DP研磨后的晶圆从反面析出的Cu浓度却低于检出下限值，由此可知Gettering DP面具有外质吸杂效果。

为了定量测定外质吸杂效果，将经过Cu强制污染的样本以350 ℃加热3小时后，使用TXRF（全反射式X光荧光光谱仪）进行分析。以Gettering DP的研磨晶圆为例，研磨面经过Cu强制污染并扩散后，使用TXRF分析反面（镜面）析出的Cu量。

※0.5E10 atoms/cm²以下为检出极限。