其他品牌 品牌
生产厂家厂商性质
苏州市所在地
8英寸SI型半绝缘8英寸碳化硅衬底生产商
面议
4英寸N型低阻高掺杂P型碳化硅晶片生产商
面议
6英寸N型4英寸6英寸P级碳化硅衬底晶片厂商
面议
8英寸N型200mmP级8英寸碳化硅衬底生产商厂家
面议
8英寸N型测试D级8英寸碳化硅衬底片生产厂家
面议
4inch耗尽型AlGaN/GaN硅基氮化镓外延晶片厂商
面议
6inch1100um6英寸碳化硅未抛光切割片生产商
面议
6inch900um厚导电N型碳化硅切割片厂家 抛光测试
面议2inch50.8mm2英寸碳化硅切割晶片厂家 研磨抛光用
面议
2inch2英寸双抛碳化硅衬底供应商 切割片厂家
面议
碳化硅晶锭厂家激光改质切割应用测试
￥2
测试D级碳化硅晶锭供应商研磨抛光减薄砂轮
面议6英寸8英寸SiC碳化硅衬底供应商恒迈瑞公司专注于生产供应导电N型碳化硅衬底晶片，半绝缘SI型级P型碳化硅衬底晶片，产品涵盖测试D级，研究R级和产品P级，不同客户不同应用可选择对应的参数等级。除6-8英寸碳化硅衬底外，我司亦可供应2英寸4英寸停产等级的碳化硅衬底片。欢迎有需求客户电话询价。
SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。
制造碳化硅衬底的有物理气象升华法、化学气相沉积法以及顶部籽晶溶液生长法三种。物理气相升华法是在高温真空环境下将粉料升华，通过温场的控制在籽晶表面生 长出碳化硅晶体，是企业最尝使用的一种方法。以碳化硅晶片为衬底，使用化学气相沉积法，在晶片上淀积一层单晶形成外延片。
