恒迈瑞公司目前可提供2英寸碳化硅双抛衬底片及2英寸碳化硅切割晶片。未研磨及抛光的2英寸碳化硅切割片厚度为1200um，广泛应用于金刚石砂轮，磨料的研磨，抛光验证测试。碳化硅研磨分为粗磨和精磨，粗磨是使用粒径较大的磨粒进行研磨,主要是用于去除切片表面损伤层,速率为3-10um/min,表面粗糙度可达0.2um左右;精磨是用粒径较小的磨粒进行研磨,主要去除粗研留下的损伤层,保证衬底面型精度(WARP、BOW、TTV, LTV等) ,效率在5-40um/h,表面粗糙度在0.1um左右, TTV在3-6μm。

研磨工艺的优点在于成本相对较低，但它也存在一些缺点，包括工序较为繁琐，自动化水平不高，对于大尺寸晶圆的加工，存在较高的破片风险。此外，研磨工艺的灵活性较低，不利于单片加工。同时，由于需要使用研磨液，它对环境也会产生一定的影响。