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8英寸SI型半绝缘8英寸碳化硅衬底生产商
面议4英寸N型低阻高掺杂P型碳化硅晶片生产商
面议6英寸N型4英寸6英寸P级碳化硅衬底晶片厂商
面议8英寸N型6英寸8英寸SiC碳化硅衬底供应商
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面议8英寸N型测试D级8英寸碳化硅衬底片生产厂家
面议4inch耗尽型AlGaN/GaN硅基氮化镓外延晶片厂商
面议6inch1100um6英寸碳化硅未抛光切割片生产商
面议2inch50.8mm2英寸碳化硅切割晶片厂家 研磨抛光用
面议2inch2英寸双抛碳化硅衬底供应商 切割片厂家
面议碳化硅晶锭厂家激光改质切割应用测试
¥2测试D级碳化硅晶锭供应商研磨抛光减薄砂轮
面议碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能,在现代工业领域应用广泛。恒迈瑞公司供应2英寸4英寸6英寸及8英寸未抛光碳化硅切割片,导电N型,各种厚度可供客户选择,未抛光SiC切割片可被用于研磨及抛光测试验证。
SiC材料的表面加工质量对制件的可靠性和使用寿命至关重要,如:在半导体领域,SiC晶片的轻薄化和表面超光滑的特性不仅减小了体积,还降低了其内阻,改善了芯片散热性能。在单晶SiC基片的外延工艺应用中要求表面粗糙度Ra<0.3 nm ,并且表面无缺陷、无损伤。光学元件的表面质量是影响光学系统成像分辨率的重要因素,抛光就是为了提高表面质量,尽量降低表面粗糙度和亚表面损伤层深度,而散射越少,成像分辨率越高。光学镜面要求其光学元件表面超光滑,表面粗糙度均方根(Root Mean Square ,RMS)<1nm。机械密封元件要求密封端面的表面粗糙度Ra<0.4 μm,平面度一般小于0.9 μm。