沟槽型场截止单项晶体管

STGW80H65DFB沟槽型场截止单项晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-03-27 15:20:01
567
属性:
产地:进口;售后保修期:1个月;销售区域:全国,华东,华南,华北,华中,东北,西南,西北,港澳台,海外;种类:半导体分立器件;
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产品属性
产地
进口
售后保修期
1个月
销售区域
全国,华东,华南,华北,华中,东北,西南,西北,港澳台,海外
种类
半导体分立器件
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深圳市星际金华实业有限公司

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产品简介

沟槽型场截止单项晶体管 STGW80H65DFB:
是使用*的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。是新型HB系列IGBT的一部分,它代表了导通和开关损耗之间的状态,可大限度地提高任何变频器的效率。

详细介绍

星际金华原装供应 沟槽型场截止单项晶体管 STGW80H65DFB 原装现货,量大价优!

规格:

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(大值) 650V

电流 - 集电极(Ic)(大值) 120A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 240A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2V @ 15V,80A

功率 - 大值 469W

开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 414nC

25°C 时 Td(开/关)值 84ns/280ns

测试条件 400V,80A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr) 85ns

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247

 

描述:

是使用*的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。是新型HB系列IGBT的一部分,它代表了导通和开关损耗之间的状态,可大限度地提高任何变频器的效率。

 

特征:

高速开关系列
小化尾电流
安全并联
紧密的参数分布
低热阻
非常快速的软恢复反并联二极管

 

应用:

光伏逆变器
高频转换器

 

沟槽型场截止单项晶体管 STGW80H65DFB 由星际金华*优势供应,有意者,请咨询公司工作人员!

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