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ESP32-S/ESP32-D0WD通用型Wi-Fi 和蓝牙双模单芯片
¥20MR25H40VDFR磁阻随机存取存储器
¥14XC3S200A-4VQG100C/DS60R嵌入式微控制器
¥15TCR5AM12/TCR5AM10TCR5AM12/TCR5AM10线性稳压器
¥60CSR8675/CSR8675C-ICXTCSR8675/CSR8675C-ICXT蓝牙V5.0耳机芯片
¥11MAX3071EESA/VCA8617PAGTMAX3071EESA/VCA8617PAGT接口驱动器
¥16TMS320VC5509AZHHRTMS320VC5509AZHHR 数字信号处理器
¥17ADSP-2186BSTZ-160ADSP-2186BSTZ-160数字信号处理器
¥14LPC54618J512BD208ELPC54618J512BD208E微控制器
¥10MCF5207CVM166MCF5207CVM166 嵌入式核心处理器
¥62ESP-WROOM-02/ESP-WROOM-S2ESP-WROOM-02/ESP-WROOM-S2射频收发器模块
¥11TPS61256YFFR/TPS62743YFPRTPS61256YFFR/TPS62743YFPR开关稳压器
¥87供应 N沟道单项晶体管 STFH24N60M2:
一、规格: FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 190 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 29nC @ 10V
Vgs(大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 1060pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 35W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
二、描述:
该器件是采用MDmesh™M2技术开发的N沟道功率MOSFET。 由于其条带布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求苛刻的高效转换器.TO-220FP宽爬电封装为功率MOSFET提供更高的表面绝缘,以防止 由于电弧放电导致的故障,可能在污染环境中发生
三、特征:
极低的栅极电荷
出色的输出电容(COSS)曲线
100%通过雪崩测试
齐纳保护
引脚之间的爬电距离为4.25 mm
四、应用:
切换应用
LLC转换器,谐振转换器
星际金华供应 N沟道单项晶体管 STFH24N60M2 原装*现货,更多详情,欢迎询问!