深圳市星际金华优势提供 PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS N沟道单项分立晶体管，原装*，*，价格实惠，海量库存！

产品详细规格参数：

PSMN005-75B：

FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    75A（Tc）
驱动电压     10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On   5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）    4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）    165nC @ 10V
Vgs   ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）     8250pF @ 25V
功率耗散     230W（Tc）
工作温度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型    表面贴装
供应商器件封装    D2PAK
封装/外壳    TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

PSMN3R3-80BS：

FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    120A（Tc）
驱动电压     10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On     3.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）    4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）     111nC @ 10V
Vgs    ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）     8161pF @ 40V
功率耗散    306W（Tc）
工作温度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型    表面贴装
供应商器件封装    D2PAK
封装/外壳    TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS N沟道单项分立晶体管由星际金华*现货供应，更多产品详情，请询问公司工作人员！