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ESP32-S/ESP32-D0WD通用型Wi-Fi 和蓝牙双模单芯片
¥20MR25H40VDFR磁阻随机存取存储器
¥14XC3S200A-4VQG100C/DS60R嵌入式微控制器
¥15TCR5AM12/TCR5AM10TCR5AM12/TCR5AM10线性稳压器
¥60CSR8675/CSR8675C-ICXTCSR8675/CSR8675C-ICXT蓝牙V5.0耳机芯片
¥11MAX3071EESA/VCA8617PAGTMAX3071EESA/VCA8617PAGT接口驱动器
¥16TMS320VC5509AZHHRTMS320VC5509AZHHR 数字信号处理器
¥17ADSP-2186BSTZ-160ADSP-2186BSTZ-160数字信号处理器
¥14LPC54618J512BD208ELPC54618J512BD208E微控制器
¥10MCF5207CVM166MCF5207CVM166 嵌入式核心处理器
¥62ESP-WROOM-02/ESP-WROOM-S2ESP-WROOM-02/ESP-WROOM-S2射频收发器模块
¥11TPS61256YFFR/TPS62743YFPRTPS61256YFFR/TPS62743YFPR开关稳压器
¥87CSD18532Q5B N沟道晶体管:
一,规格:
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值)
3.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值)
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值)
58nC @ 10V
Vgs(大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值)
5070pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
3.2W(Ta),156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
二,特征:
超低Qg和Qgd
低热阻
通过雪崩评级
逻辑水平
无铅端子电镀
符合RoHS标准
无卤素
SON 5毫米×6毫米塑料封装
三,应用:
DC-DC转换
次级侧同步整流器
隔离式转换器初级侧开关
电机控制
四,说明:
这款2.5mΩ,60V SON 5 mm×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在大限度地降低功率转换应用中的损耗。
以上型号 CSD18532Q5B N沟道晶体管 为星际金华优势供应,如需了解更多详情,欢迎询问公司工作人员,我们将竭诚为您服务!