苏州恒迈瑞公司生产供应主流导电N型6英寸碳化硅晶锭，目前我司主要供应高质量并且有价格竞争力的150mm6英寸碳化硅晶锭及碳化硅切割片衬底片以及半绝缘SI型SIC晶锭，同时也向200mm直径碳化硅晶圆批量过渡。8英寸导电N型碳化硅衬底晶片主要应用新能源汽车、光伏等领域。

碳化硅材料因其具有宽禁带半导体特性，禁带宽度达到3.26 eV，几乎是硅的三倍，因此具有更好的热导率和更高的工作温度。碳化硅因其物理和化学特性，在多个领域展现出优异的性能，如高温稳定性、高硬度、高导热性和高耐腐蚀性等。碳化硅(SiC)是一种硬度仅次于金刚石的无机化合物半导体材料。由硅(Si)和碳(C)元素以1:1的比例构成，形成Si-C四面体结构。存在多种晶型，4H晶型因其在半导体领域的优异性能而受到青睐。

生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中，气相法(PVT和HTCVD)通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体；液相法包括溶胶-凝胶法(Sol-Gel)和当前主流的顶部籽晶溶液生长(TSSG)法；固相法中的改进自蔓延高温合成法(SHS)是合成工艺比较成熟的SiC粉体的制备方法。