氮化镓异质外延片生产厂家GaN-on-SiC

苏州恒迈瑞供应RF HEMT应用碳化硅射频高电子迁移管GaN氮化镓外延片，尺寸涵盖4英寸及6英寸，SiC碳化硅与GaN氮化镓由于晶格失配较小，导电、热导率高，是主流的GaN外延生长衬底之一。其中，导电型SiC衬底主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件，半绝缘型SiC衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件，比如5G基站中的PA、雷达等。

氮化镓是一种极稳定的无机化合物，也是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，主要是由人工合成的。GaN具有高的电离度，禁带宽度达到3.4eV，其相比第二代半导体化合物拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率和电子饱和速率及更优的抗辐照能力,可以用在高功率、高速的光电元件中,是生产微电子器件、光电子器件的新型材料。