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工艺类型 | 热粉床/高真空 (具体温度与材料有关) |
大构建尺寸 | 350 x 380 mm (Ø/H) |
大电子束工艺 | 3000 W |
阴极类型 | 单晶 |
小电子束直径 | 180 μm |
多束技术 | 多熔池工艺 |
重定位时间 | 10 ms |
熔融过程中平移速度 | 连续变化 |
主动冷却 | 水冷散热 |
真空本底压力 | 1x10-4 mbar |
构建环境气氛 | 4x10-3 mbar, partial pressure of He |
氦气消耗,构建阶段,每小时 | 4 l/h |
氦气消耗,冷却阶段,每次 | 100-150 l/build |
工艺过程控制 | 层校验摄像系统 |
所需电力供应 | 3 x 400 V, 32 A, 7 kW |
设备尺寸 | Approx. 2300 x 1300 x 2600 mm |
设备重量 | 2900kg |
工艺计算机 | PC |
CAD界面 | STL标准格式 |
网络 | Ethernet 10/100/1000 |