四探针导电电阻测试仪四探针导电电阻测试仪

标准要求：

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

技术参数及功能介绍

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：

直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：

当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：

四探针测试结构

当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。