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HUSTEC-DC-2010半导体测试仪器
¥198HUSTEC-1600A-MT半导体测试设备
¥198HUSTEC-1600A-MTIGBT静态参数测试系统
¥198HUSTEC-1600A-MT特大功率IGBT测试系统
¥198HUSTEC-DC-2010分立器件测试设备
¥198HUSTEC-IFSM-1200A10ms浪涌电流测试仪
¥198HUSTEC-1600A-MTSIC静态参数测试仪
¥198HUSTEC-1600A-MTSIC模块测试仪
¥198HUSTEC-DC-2010半导体分立器件测试仪
¥198HUSTEC-1600A-MTIGBT综合特性测试仪
¥198HUSTEC-DC-2010分立器件静态参数测试仪
¥198HUSTEC-IFSM-1200A二极管浪涌测试仪
¥198可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等
测试频率:1MHz
测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V
信号电压范围:1mV~1000mV
Rg 范围:≤300Ω
测试精度:0.01pf
华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点:
1,测试速度快。
2,可点测和扫描曲线。
3,测试精度高,测试结果稳定精准。
4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。