硅APD探测模块 SPDSi

    上海屹持光电单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi*的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到优秀状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。

SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最gao可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。

APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得优秀的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。

技术特点：

高探测效率：65%@700 nm；         500 um光敏面积；

TTL数字信号输出；                       低暗计数；

低后脉冲；                                  低时间抖动；

应用领域：

荧光测量；                                  激光测距；

量子通信；                                  光谱测量；                                        

光子关联；                                  自适应光学；

               Fig1. 量子效率                                                                                   Fig2. Si单光子探测器

Fig3. Si单光子探测器结构图

产品参数：

产品说明：

1.         不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。

2.         APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。

3.         在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。

4.         SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最da计数率，当死时间设定在50ns时，最da计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。

5.         同样，输出信号的脉宽也会影响最da计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。

6.         SPDSi支持空间和光纤接口接入。

单光子探测器选型：