NPE-4000 ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜到z大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电J或中空阴J射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优S.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10^-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有*气体分布系统的平面中空阴J等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。

NPE-4000 ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：

• 等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)

• 等离子清洗：去除有机污染物

• 等离子聚合：对材料表面产生聚合反应

• 沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜

• CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。

NPE-4000 ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：

• 立式ICPECVD系统

• 不锈钢或铝制腔体

• J限真空可达10^-7Torr

• ICP离子源

• 高达12”(300mm)直径的样品台

• RF射频偏压样品台

• 水冷样品台

• 可加热到的800 °C样品台

• 加热的气体管路

• 加热的液体传送单元

• 抗腐蚀的涡轮分子泵组

• z大可支持到8MFC

• 基于LabView软件的PC计算机全自动控制

• 菜单驱动，4级密码访问保护

• 完整的安全联锁