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GBT系列概述

IGBT裸片是硅基的绝缘栅双极晶体管芯片。裸片和晶圆级别的芯片可帮助模块制造商提高产品集成度和功率密度，并有效节约电路板空间。另外，英飞凌还提供完善的独立塑封IGBT系列：IGBT单管。该系列芯片包括单片IGBT，以及和续流二极管集成封装的产品，广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源（SMPS）等领域。单管IGBT电流密度高且功耗低，能够提高能效、降低散热需求，从而有效降低整体系统成本。

功率模块是比分立式IGBT规模稍大的产品类型，用于构造电力电子设备的基本单元。这类模块通常由IGBT和二极管组成，可有多种拓扑结构。而即用型组件模块则专用于满足大功率应用的需求。这些组件常被称作系统，根据具体应用领域采用IGBT功率模块或单管进行构造。从具有整流器、制动斩波器和逆变器的一体化功率集成模块，到功率的组件，英飞凌的产品覆盖了几百瓦到几兆瓦的功率范围。这些产品高度可靠，性能、效率和使用寿命均很出色，有利于通用驱动器、伺服单元和可再生能源应用（如太阳能逆变器和风力发电应用）的设计。

HybridPACK™系列专为汽车类应用研发，可助力电动交通应用的设计。为更好地支持汽车类应用，英飞凌还推出了符合AECQ101标准的各类 分立式IGBT功率半导体。

英飞凌为您提供大部分产品的评估板，方便简化实验室模型和产品原型，从而缩短研发周期。这样一来，您就能在最短的时间内获得结论性成果。

采用TO-220封装、带有反并联二极管的650 V IGBT

是650 V、28 A 硬开关TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT，它采用小尺寸TO-220封装，用于10 kHz-40 kHz之间的硬开关应用，可提高电流密度、增加效率、缩短上市时间、减轻电路设计的复杂程度以及优化物料清单成本。

特征描述

25°C时极低VCEsat （1.5 V）

4倍Ic 脉冲电流（100°C Tc）

无拖尾电流

对称低电压过冲

栅极电压受控（无震荡）。不存在器件意外导通的风险，无需栅极钳位元件

结温Tvj = 175°C

符合JEDEC标准