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半導體封裝時,步需將晶圓進行背面減薄加工,減薄厚的晶圓再進行切割及灌膠等作業。減薄時鑽石砂輪密需保證在粗精磨時保持穩定的研磨速率和表面加工質量,以保證晶圓厚度一致性,從而確保高的封裝良率。
用途:硅晶圓和半導體化合物晶圓的背面減薄加工。
特點:
粒度 D(mm) W(mm) X(mm) H(mm) #325 (D54/80) | #8000 (D2/4) Ø200 | Ø400 2~5 5 155 158 190 235
亦可依據客人提供資料、圖面等資訊進行客製。