晶体电光Q开关,普克尔盒
晶体电光Q开关,普克尔盒

RTP EO Cells晶体电光Q开关,普克尔盒

参考价: 订货量:
8900 1

具体成交价以合同协议为准
2022-05-26 10:39:30
559
属性:
产地:进口;售后保修期:1个月;销售区域:全国,华东,华南,华北,华中,东北,西南,西北,港澳台,海外;适用波长: 450nm - 3μm;脉冲上升/下降时间:0.5-5ns;半波电压:0.66~3.6kV;
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产品属性
产地
进口
售后保修期
1个月
销售区域
全国,华东,华南,华北,华中,东北,西南,西北,港澳台,海外
适用波长
450nm - 3μm
脉冲上升/下降时间
0.5-5ns
半波电压
0.66~3.6kV
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武汉新特光电技术有限公司

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产品简介

RTP(磷酸钛氧铷)晶体属KTP族晶体,是500nm-3000nm光谱范围内电光应用的优选材料,它的高光学损伤阈值(1GW/cm² @ 1064nm, 10ns脉宽)使其在高功率 SHG 和 OPO 应用中特别有用。

详细介绍

 

RTP(磷酸钛氧铷)晶体属KTP族晶体,因其良好的电学与光学性能,包括较高的电阻率(约1011-1012Ω·cm和抗光伤阈值,非常适合用做电光器件,如激光Q开关、快门、相位和振幅调制器、脉冲选择器腔倒空器和偏转器。

适用波长:450nm - 3μm,器件消光比 > 23 dB我公司提供的RTP晶体Q开关,采用双晶体结构,两块晶体光轴彼此垂直,可以自动补偿环境温度变化,是一种无需温控的激光器件。

除此之外,RTP晶体器件还具有下列明显优势:

  1. 双晶体总的电容量很小, 5mm长晶体的总电容量为2-3pF或10mm长晶体的总电容量为3-4pF,可实现脉冲上升/下降时间:0.5-5ns

  2. 与其它电光Q相比,具有较低的半波电压,更容易控制

  3. 晶体内部质量好,光学吸收低,双晶体的总体透光率>98.5%

  4. 动态、静态半波电压基本一致,易于安装和调节

  5. 适用于高频操作,峰值开关频率可达1MHz

  6. 小巧的外形和较低的操作电压,使其更适于新型的光纤与碟片激光器应用

  7. 使用温度﹣50-70℃,无需温控

  8. 晶体损伤阈值达1GW/cm² @ 1064nm, 10ns脉宽

  9. 晶体不潮解,介电常数低,优良的电学稳定性,可长期承受外加电压

  10. 在高频工作时,极低的振铃效应,远远低于BBO电光Q的振铃效应


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