GRISH纳米二氧化硅抛光液（CMP）
我公司系列硅溶胶产品均是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品，广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。具有应用领域广、抛光效率高、杂质含量低、抛光后容易清洗等特点。如：硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。可生产不同粒度（10~150 nm）的产品满足用户需求。根据pH值的不同可分为酸性抛光液和碱性抛光液。
产品的特点：
1. 高抛光速率，利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的（可以生产150 nm）
2. 粒度可控，根据不同需要，可生产不同粒度的产品（10-150 nm）
3. 高纯度（Cu2+含量小于50 ppb），有效减小对电子类产品的沾污
4. 高平坦度加工，本品抛光是利用SiO2的胶体粒子，不会对加工件造成物理损伤，达到高平坦化加工
抛光液基本性质
碱性型号（pH:9.8±0.5） | SOQ-2A | SOQ-4A | SOQ-6A | SOQ-8A | SOQ-10A | SOQ-12D |
酸性型号（pH:2.8±0.5） | ASOQ-2A | ASOQ-4A | ASOQ-6A | ASOQ-8A | ASOQ-10A | ASOQ-12D |
粒径(nm) | 10~30 | 30~50 | 50~70 | 70~90 | 90~110 | 110~130 |
外观 | 乳白色或半透明液体 |
比重 | 1.15±0.05 |
组成 | 成份 | 含量（w%） |
SiO2 | 15～30 |
Na2O | ≤0.3 |
重金属杂质 | ≤50 ppb |
抛光液组成
成份 | 含量（w%） |
SiO2 | 15～30 |
Na2O | ≤0.3 |
重金属杂质 | ≤50 ppb |
抛光参数（参考值）
抛光压力 | 150～250 g/cm2 |
抛光温度 | 32~40 ℃ |
稀 释 率 | <1:1~20 |
抛光时间 | 3~6 min |
注：本抛光参数只适用于硅片的抛光。
包 装：500 ml/瓶，25 Kg/桶，或200 Kg/桶。
储 存：储存温度0~35 ℃，在0 ℃以下因产生不可再分散凝胶而失效，温度高于35 ℃条件下储存会促使微生物生长和加速凝胶化，缩短储藏期。上述条件下碱性抛光液可存放两年左右，酸性抛光液可存放半年左右。
应用范围：
1、硅晶圆片抛光;锗片抛光;砷化镓抛光;磷化铟抛光;光学晶体抛光;蓝宝石衬底抛光;LED衬底抛光;
2、硒化锌抛光;光纤连接器抛光;光纤跳线抛光;玻璃抛光;石英抛光,CMP抛光液；
