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一. 硅晶片磨床结构特点及性能
1.机床总体采用双主轴三工位布局,磨削系统由转台单元、相磨单元和精窘单元组成;
2.转台结构单元采用“气浮转动-真空固定”的方式;
3.磨削主轴系统由砂轮主轴、主轴座、立柱、磨削力在线测量装置等组成;主轴座两侧的低摩擦气缸用于平衡主轴部分的重力,增加进给系统的运动灵活性;
4.砂轮主轴和工作台主轴均采用空气静*承的电主轴。具有回精度转高且振动小的特点有利于提高生产率,降低晶片的表面粗糙度;
5.微量进给系统由伺服电机驱动滚珠丝杠带动渺轮主轴部件进行磨削进给运动;系统具有0.1μn的运动分辨率,能实现低进给速度0.1μn/s,具有较好的响应速度;
6.机床具有片自动对刀和厚度在线测量系统;
7.机床砂轮主轴与工件主轴之间角度有微调整装置,从而保证硅片的面型;
8."硅片采用高精度高可靠性夹持定位与输送技术,具有可靠的自动定心机构;硅片输送采用四自由度R- 8型关节机械人,实现晶片在各工位间的自动转换:
9.机床具有硅片自动清洗、干燥和吸盘自动清洗功能,完成晶片的干进干出式磨削;
二、硅晶片磨床技术规格与参数
砂轮直径: 300m
晶片传送:机械手
晶片夹持:真空吸附
砂轮主轴数量: 2
工作台数量: S
工作台清洗:自动
工作台驱动:电主轴
小进给量: 0. 1μm
测厚精度: 0.1μm
砂轮转速: 0~7000r/nin
工作台转速: 0~-300r/min
机床总功率: 25KV
砂轮功率: 6. 5KW
工作台主轴功率: 0. 5EKW
机床外形尺寸: 4196x1400x2111 .
机床净重: 3500KE
二、工作精度
总厚度变化(TTV) : TTv≤3μn
硅片全局平整度(CBIR) :GBIR≤0.2μm
硅片局部平整度(SFQR):
SPQR≤0. 2un
片间厚度变化:≤3μm
精磨表面粗糙度: Ra≤10mn (使用:3000砂轮磨削时)