一、究竟什么是隐形切割？

导体制造中，使用大晶片是一个趋势。但是晶片本身就非常薄，切割工艺涉及到一系列问题，比如一片晶片能够切割出多少芯片、或者怎样在不导致缺点的情况下切割出复杂集成电路芯片等。由于芯片产品在具有更多功能的同时变得越来越小，所以切割过程需工作在越来越严格的条件下。隐形切割就是一种满足这种严苛条件的技术。隐形切割只是半导体制造工艺的一部分，但是这一部分的改变却可以给整个工艺造成巨大影响。随着半导体产品需使用薄晶片，时代需要呼唤着更小、更高性能的半导体器件。说市场需求是推动隐形切割在半导体制造领域获得目前地位的推动力量，一点也不夸张。

二、隐形切割过程

隐形切割过程中，波长可以透过半导体晶片的激光束经过物镜聚焦到半导体晶片的一个点上，然后该光束沿着切割线进行扫描。

此处使用的光学系统具有高的聚焦性能，能够把光压缩到衍射限界。因此高重复、短脉冲的激光束在时间上和空间上被压缩到焦点附近非常小的区域，具有非常高的峰值功率密度。当可透过半导体晶片的激光束在压缩过程中，峰值光能密度超过某个阈值的时候，激光束开始出现高吸收率。优化光学系统以及激光束特性可以更好地控制光密度阈值，以达到只在半导体晶片内部、焦点附近超过阈值的目的。这样便可以用激光束选择性地对晶体内部特定地点进行加工，而不会破坏晶体表面及边缘。在激光处理的区域，改性层形成，改性层作为一个裂缝起点，裂缝垂直变长，在芯片前后表面上下延伸。隐形切割从内部把目标材料分割，与普通激光切割从晶片外部切割材料是*不一样的。