按GB/T5594.2的规定进行，对压电陶瓷材料泊松比的测试按GB/T11311的规定进行。导热系数（热导率）测试。

破碎后，立即进行目视检查；透液性是样品通过品红试剂渗透到陶瓷体后，能够用肉眼可观察到的程度来表示。

GB/T11311-1989 压电陶瓷材料性能测试方法 泊松比的测试；

高温马弗炉：控制在800℃以上的任一规定温度（T），温度控制T±5℃内。任何冷热槽池的容积应当大于试验样品和浸入装置体积的五倍。

；；试验装置，液体冷却槽池：由碎冰和水构成，温度低于1℃；干燥冷却槽池：满足所需规定温度（T）的低温箱，温度控制在T±5℃内；

GB/T5593-1996 电子元器件结构陶瓷材料；

试样的绝缘强度；施加入电压的速度；电极的材料为、尺寸；试验时周围介质、温度；试验日期和试验员。

GB/T5597-1999 固体电介质微波复介电常数的测试方法；

GB/T7265.1-1987 固体电介质微波复介电常数的测试方法 微扰法；

试验报告所用槽池的类型和温度；样品尺寸及编号；对每个样品的目测检查结果和观察的方法；如有规定，热冲击样品的单次、平均抗折强度。

显气孔率的测试对多孔陶瓷材料其气孔率按GB/T1966的规定进行。透液性测试加压透液性测试，试剂及装置。

按GB/T5598的规定进行，室温下的测试也可按GJB1201.1的规定进行。抗热震性测试试验样品，试验样品应任选以下一种尺寸；

试样应保持清洁干燥，在正常试验大气条件下放置不少于24h。测试设备介电常数和介质损耗角正切值可采用Q表、损耗仪及精密阻抗分析仪等进行测量。

或者70（1±10%）MPa的压力，并保持6h；在试验压力施加完毕后，将样品取出冲洗干净并充分干燥；

从零或者从击穿电压以下的电压值逐渐增加电压，直至试验样品发生击穿并丧失其绝缘性能。单位厚度的击穿电压值称为绝缘强度。

GJB1201.1991 固体材料为高温热扩散率试验方法 激光脉冲法；

电极，银电极：在试样两侧面圆心处被银电极并经低温烘烤，电极直径为（8±0.5）mm；铜电极：一对圆柱体，直径25mm，厚度25mm。

GB/T5594.3-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法；

GB/T1966-1996 多孔陶瓷显气孔率、容重试验方法；

体积电阻率的测试，按GB/T5594.5的规定进行。

试样两端面应平整光滑；样品数量五只。在50℃的烘箱中放置48h，取出后，放入干燥器内冷却至室温，5h后即可试验。

GB/T8489-1987 工程陶瓷抗压缩强度试验方法；

试验条件本标准未特殊规定时，所有试验应按GB/T2421中所规定的试验的标准大气条件下进行；

GB/T9530-1988 电子陶瓷名词术语；

计算：绝缘强度按公式（1）计算：…………（1）；U——试验的击穿电压，KV；d——试样厚度，mm；E——试样的绝缘强度，KV/mm。

GB/T5594.4-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介质损耗角正切值的测试方法；

GB/T11387-1989 压电陶瓷材料静态弯曲强度试验方法；

高温介电常数和介质损耗角正切的测试，按GB/T5594.4的规定进行。微波频率的介电常数和介质损耗角正切值的测试按GB/T5597或GB/T7265.1的规定方法进行。

破碎后，立即进行目测；透液性是样品通过品红试剂渗透到陶瓷体后，能够用肉眼可观察到的程度来表示。

试剂——在1L浓度为50%的试剂级酒精中加入1g碱性品红；装置——能够获得规定压力并保持规定时间的任何压力容器。

制作样品而形成的小裂缝的任何渗透可忽略不计。报告根据7.2.3中d条检验的观察结果的描述。

温度：15℃~35℃，相对湿度：45%~75%，气压：86kPa~106kPa。体积密度的测试按GB/T2413的规定进行。

绝缘强度一般取五只样品试验结果的平均值。报告对每一试样应包括下列内容：试样的厚度；试样的击穿电压；

试验样品，样品应是从陶瓷本体上新截取的、清洁的、且表面无明显裂纹的、任意形状的试样，试样至少有75%的面积无釉或其他表面处理。

试样及其预处理试样，对被银电极，试样直径（35±5）mm；对铜电极，试样直径应适当加大。除另有规定外，厚度均为（1.0±0.5）mm；

GB/T2421-1999 电工电子产品基本环境试验 第1部分：总则；

测试步骤，从预处理环境中逐一取出样品；将试样接入测试线路、并将其浸入变压器油中；调节变压器，并使升压速率控制在1KV/s；

平均线膨胀系数测试，按GB/T5594.3的规定进行测量。绝缘强度测试试验原理，将一定形状、一定厚度的试验样品放置在变压器油中，对其施加直流或交流（f：50Hz）电压。

抗压强度测试按GB/T8489规定的方法进行测试。抗折强度的测试，根据不同尺寸规格的试验样品及其不同需要。

观察试验电压的指示，读取试样击穿时的电压值；将调压器退回，将高压充分短路放电后，换另一只试样，重复上述操作。

允许按GB/T5593-1996中5.6条、GB/T11387和GB/T6569的规定进行。杨氏弹性模量、泊松比的测试。

报告，所施加的压力太其时间；根据检验的观察结果的描述。常压透液性测试，试剂和装置，试剂——同7.1.1条a；装置——适当的开放式容器。

样品应无气孔及其他明显缺陷；用烧渗法在试样的两平面上覆上一层完整的银层，作为电极；样品数量：五只；

GB/T2413-1980 压电陶瓷材料体积密度测量方法；

试验条件试验应选择能够地引起某些结构失效的条件。试验步骤将试样放入到规定温度的冷却槽池中。

GB/T5594.2-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 杨氏弹性模量、泊松比测试方法；

测量试样的电容值和介质损耗角正切值，并根据公式（2）计算试样的介电常数。…………（2）；

介质损耗角正切值可采用任何适当的测量仪表直读测量数据，或根据测量仪表所给出的计算公式计算介质损耗角正切值。

GB/T6569-1986 工程陶瓷弯曲强度试验方法；

报告应包括下列内容：试验材料名称；试样的几何尺寸；试验频率；每个试样的以及五只试样的平均值。

E——试样的介电常数；CX——试样的电容量，pF；h——试样的厚度，cm；D——电极的直径，cm。

保温5min，取出后立即放到规定温度的热槽池或高温马弗炉中，保温5min，重复循环五次；将试样吕在品红溶液中浸放10min，取出冲洗后，充分干燥。

试验样品同7.1.2条。试验步骤将试验样品*浸入到装有品红液的开放式容器中；浸入时间不少于5min，然后将样品取出冲洗并充分干燥；

设备仪器和装置，电压调节范围为0~100KV的直流或交流（50Hz）高压击穿强度试验设备；容积约为1L的装有洁净变压器的绝缘容器。

试验步骤将样品*浸入到装有品红溶液的压力容器中；施加28（1±10%）MPa的压力，并保持15h；

介电常数和损耗角正切值的测试，频率小于10MHz，室温介电常数和损耗角正切值的测试。试验样品，推荐试验样品为圆片形，其尺寸为：（35±5）mm，厚度为（2±0.5）mm；或（20±3）mm，厚度为（1±0.5）mm；

GB/T5594.5-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法；

在明亮光线下，检查试样裂痕、龟裂等。如有规定时，应在试验后按GB/T11387的规定进行抗折强度的测试。

GB/T5598-1985 氧化铍瓷导热系数测定方法；

频率范围小于100MHz；仪器不准确度为±0.1%。测试步骤将试样和附带电极接入仪器的测试端，按测试仪器的规定。