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您是否想要采购半绝缘型8英寸碳化硅衬底和导电型8英寸碳化硅晶片，不妨了解下恒迈瑞公司，专业生产供应碳化硅衬底晶片，尺寸涵盖2英寸4英寸6英寸及英寸，既有测试D级，研究R级也有产品P级碳化硅衬底。我司与国内外半导体公司及实验室合作多年，对客户给予价格支持，欢迎有需求客户询价。

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从碳化硅粉末开始，通过单晶生长，成为锭，然后通过切割抛光工艺进入衬底，衬底延伸延伸，然后通过光刻、沉积、离子注入等步骤制作设备结构晶圆，晶圆变薄退火成晶片，包装试验后，是碳化硅功率设备，最终设备形成电力电子设备并应用。

PVT法(物理气相传输法) 

这是最主流的生长方法。原理：石墨坩埚腔体内，电感线圈加热，发生涡流作用，石墨发热体加热，温度上升至2000摄氏度以上，底部的高纯碳化硅分解成原子、分子等气相物质，又在温度梯度的作用下，向低温区输送，在碳化硅籽晶上形核成晶；