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​恒迈瑞作为碳化硅晶片专业供应商之一，为半导体公司及实验机构提供低阻高掺杂P型碳化硅衬底晶片，掺杂铝，利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求。

恒迈瑞作为碳化硅晶片专业供应商之一，为半导体公司及实验机构提供低阻高掺杂P型碳化硅衬底晶片，掺杂铝，利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求。

碳化硅主要应用在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域。根据业界数据显示，就电动汽车而言，使用SiC功率半导体时，行驶里程可以增加18~20%，预计未来汽车的采用率将从目前的15%提高到60%。从整车厂方向上看，目前包括蔚来、理想、小鹏、小米、岚图、智己、比亚迪、长城等多数车企均推出了800V碳化硅高压平台。

展望未来，市场研究机构TrendForce集邦咨询表示，作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，并预测，2028年SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。

碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。其中碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒高、价值量大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节，其生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。