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国内主流碳化硅衬底为6英寸，已逐步向8英寸SiC衬底过度中，而4英寸及2英寸衬底绝大部分厂家已逐步停产，恒迈瑞仍可供应4英寸D级P级碳化硅衬底片，6英寸导电及半绝缘型碳化硅晶片，且衬底参数优良。同时P型碳化硅晶片我司亦可供应，欢迎有需求客户联系。

4英寸6英寸P级碳化硅衬底晶片厂商

国内主流碳化硅衬底为6英寸，已逐步向8英寸SiC衬底过度中，而4英寸及2英寸衬底绝大部分厂家已逐步停产，恒迈瑞仍可供应4英寸D级P级碳化硅衬底片，6英寸导电及半绝缘型碳化硅晶片，且衬底参数优良。同时P型碳化硅晶片我司亦可供应，欢迎有需求客户联系。

作为第三代半导体代表材料之一，碳化硅（SiC）备受欢迎。特性方面，相比传统的Si半导体材料，SiC拥有3倍的禁带宽度、3倍的热导率、近10倍的击穿场强、以及2倍的电子饱和漂移速率。理论上，相同耐压的器件，SiC的单位面积的漂移层阻抗可以降低到Si的1/300。

碳化硅主要应用在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域。根据业界数据显示，就电动汽车而言，使用SiC功率半导体时，行驶里程可以增加18~20%，预计未来汽车的采用率将从目前的15%提高到60%。从整车厂方向上看，目前包括蔚来、理想、小鹏、小米、岚图、智己、比亚迪、长城等多数车企均推出了800V碳化硅高压平台。