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6英寸8英寸SiC碳化硅衬底供应商恒迈瑞公司专注于生产供应导电N型碳化硅衬底晶片，半绝缘SI型级P型碳化硅衬底晶片，产品涵盖测试D级，研究R级和产品P级，不同客户不同应用可选择对应的参数等级。除6-8英寸碳化硅衬底外，我司亦可供应2英寸4英寸停产等级的碳化硅衬底片。欢迎有需求客户电话询价。

6英寸8英寸SiC碳化硅衬底供应商恒迈瑞公司专注于生产供应导电N型碳化硅衬底晶片，半绝缘SI型级P型碳化硅衬底晶片，产品涵盖测试D级，研究R级和产品P级，不同客户不同应用可选择对应的参数等级。除6-8英寸碳化硅衬底外，我司亦可供应2英寸4英寸停产等级的碳化硅衬底片。欢迎有需求客户电话询价。

SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。

制造碳化硅衬底的有物理气象升华法、化学气相沉积法以及顶部籽晶溶液生长法三种。物理气相升华法是在高温真空环境下将粉料升华，通过温场的控制在籽晶表面生 长出碳化硅晶体，是企业最尝使用的一种方法。以碳化硅晶片为衬底，使用化学气相沉积法，在晶片上淀积一层单晶形成外延片。