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目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、机械抛光和化学机械抛光(精抛)。恒迈瑞公司可生产供应2英寸4英寸6英寸及8英寸碳化硅晶锭，碳化硅双抛衬底片及碳化硅切割片。

1100um6英寸碳化硅未抛光切割片生产商

目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、机械抛光和化学机械抛光(精抛)。恒迈瑞公司可生产供应2英寸4英寸6英寸及8英寸碳化硅晶锭，碳化硅双抛衬底片及碳化硅切割片。其中碳化硅切割片厚度选择性多，有600um 900um 1100um等，长期稳定供货国内外研磨抛光设备辅材厂家。其中化学机械抛光作为最终工序，其工艺方法选择、工艺路线排布和工艺参数优化直接影响抛光效率和加工成本。在半导体领域中，经过化学机械抛光后SiC单晶片获得超光滑、无缺陷及无损伤表面是高质量外延层生长的决定因素。

SiC的传统化学机械抛光按照磨料存在状态可分为游离磨料抛光和固结磨料抛光。在游离磨料工艺中，主要采用三体摩擦方式， SiC材料表面会产生微裂纹，形成亚表面损伤。此外，工艺参数多、游离磨料的分散不稳定性对抛光效果均有较大的影响。另外，游离磨料会嵌在抛光表面，不易清洗。抛光过程中游离磨料还会导致抛光垫微孔堵塞，使得表面变得光滑，最终导致材料去除率逐渐下降。