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苏州恒迈瑞公司为广大客户提供2英寸至8英寸As-cut碳化硅切割片，涵盖导电N型及半绝缘SI型. 不同尺寸切割片厚度不同，6英寸目前有500um 600um 900um等厚度，2英寸1200um厚，量大也可支持定制生产。可用于磨料，砂轮减薄，抛光等测试验证用。

苏州恒迈瑞公司为广大客户提供2英寸至8英寸As-cut碳化硅切割片，涵盖导电N型及半绝缘SI型. 不同尺寸切割片厚度不同，6英寸目前有500um 600um 900um等厚度，2英寸1200um厚，量大也可支持定制生产。可用于磨料，砂轮减薄，抛光等测试验证用。

经过减薄或研磨后, SiC衬底表面损伤深度通常为2-5um,还需要通过抛光工艺来获得超光滑表面,大多数的抛光技术都具有共同原理都是围绕结合"化学+机械"的复合工艺,即先用浆料将SiC损伤层表面进行氧化,再通过磨粒和抛光垫的机械摩擦去除软化后的氧化层。

目前,业界已经发展出多种抛光技术,例如化学机械抛光(CMP)、电化学抛光(ECMP)、常压等离子体辅助磨粒(PAR)、光催化辅助化学机械抛光(PCMP)等,目的都是为了增强抛光效果,例如改善表面粗糙度、提高材料去除率(MRR)。化学增效方法主要有电化学、磁流变、等离子体、光催化等,机械增效方法主要有超声辅助、混合磨粒和固结磨粒抛光等方法。