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D级碳化硅晶锭厂家 测试激光冷剥离切割设备

碳化硅晶锭生产商恒迈瑞为客户提供高品质的测试级碳化硅晶棒，可用于激光冷剥离设备，多线切割设备，激光冷剥离设备测试。

光剥离技术及激光冷切割术主要应用于激光剥离技术是将激光垂直照射碳化硅晶锭，并聚焦到碳化硅晶锭内部一定深度，使表面层改性后，从晶锭上剥离出晶片。相较于线切割技术，激光剥离技术具有以下优势：

1、切割时间从4-5天显著缩短至17分钟。

2、材料损失率大幅降低，并从原理上避免锯口损失，使晶片产出能提高44%，更适合大尺寸晶圆的切割。

3、省掉晶片研磨环节，节约时间、设备以及人力成本

一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中有优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展更为成熟。