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苏州恒迈瑞公司为国内外客户生长供应碳化硅原始晶锭，也可以称之为碳化硅坯料，可用于

用于测试碳化硅C面弧度端面平整度及缺陷等。4英寸至6英寸导电型碳化硅原始晶锭或半绝缘型碳化硅毛坯料

SiC碳化硅原始晶锭晶棒生产厂家，用于测试碳化硅C碳面球面平整度

苏州恒迈瑞公司为国内外客户生长供应碳化硅原始晶锭，也可以称之为碳化硅坯料，可用于

用于测试碳化硅C面弧度端面平整度及缺陷等。4英寸至6英寸导电型碳化硅原始晶锭或半绝缘型碳化硅毛坯料

碳化硅主要采用物理气相输运法（PVT，也称为改良的Lely法或籽晶升华法），高温化学气相沉积法（HTCVD）作为补充。核心步骤大致分为：

碳化硅固体原料；

加热后碳化硅固体变成气体；

气体移动到籽晶表面；

气体在籽晶表面生长为晶体。

SiC 材料拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，SiC 基的 SBD 以及 MOSFET 更适合在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中工作。在功率等级相同的条件下，采用 SiC 器件可满足功率密度更高、设计更紧凑的需求。